技術コラム/技術情報

露光工程は半導体の微細化において不可欠な工程です。露光する際マスクを通してUV光を照射すると、マスクのパターンがレジスト上に転写されます。そのためマスクの幅を狭めれば、微細化は可能の様に思えますが、UV光も光なので回折が起きます。
この回折が起こることによってマスク幅よりも広い範囲に露光されてしまうため、容易な微細化ができないのです。この問題は、短波長のUV光を使用することで軽減することが可能です。

短波長のUV光は、光の波長が短いために回折がより少なくなります。
このため、パターン形成時に回折による影響を軽減することが可能です。光源は日々進化していますが最初期の1980年～1990年代は水銀ランプが使われていました。微細化が進むにつれて短波長化していき、g線(436nm)→i線(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)と改良されてきました。そして2018年末にはEUV(13.5nm)が量産で採用される様になりました。

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