技術コラム/技術情報

極端紫外線（EUV）とは

極端紫外線（EUV）は、波長が13.5ナノメートルの非常に短い紫外線で、X線に近い特性を持ちます。最先端の微細加工技術で使用され、非常に高い解像度を実現します。極端紫外線（EUV）は、従来のリソグラフィ技術では実現が難しかった次世代の超微細加工を実現するために開発されました。

極端紫外線（EUV）と半導体

半導体製造のリソグラフィ技術においては、紫外線の波長が短いほどより高解像度のパターンを形成できます。半導体の製造ではArFエキシマレーザー（波長193ナノメートル）が主流で使用されていました。ArFリソグラフィは液浸技術を用いることで、45ナノメートル以下の微細加工を実現しましたが、さらなる微細化には限界がありました。

EUVリソグラフィの導入により、これまで困難だった22ナノメートル以下の回路パターンの形成が可能となりました。これにより、半導体の高性能化と省エネ化が進み、スマートフォンやコンピュータの処理能力の向上にもつながっています。

一方で、EUVリソグラフィは光源のコストや技術的な課題が残っています。量産化に向けた更なる開発が進められています。極端紫外線（EUV）を用いる技術はArF液浸技術と比較して高解像度ですが、いまだ開発途上の技術です。光源のさらなる高出力化と、高出力光源を利用した微細加工技術の開発が、進められています。